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當前位置：首頁產品中心光學有源器件電信號放大器CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器

產品簡介

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器
產品總覽
CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器，用于射電天文學和量子物理應用。當冷卻至 12K 或更低時，該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內實現了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。

產品型號：
更新時間：2026-06-08
廠商性質：經銷商
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品牌其他品牌價格區間面議
組件類別光學元件應用領域電子/電池,電氣,綜合

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器

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CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器，用于射電天文學和量子物理應用。當冷卻至 12K 或更低時，該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內實現了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時的噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB，輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩定的。雖然放大器最 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍，但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個正直流電源供電，最佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而，在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm，不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。

通用參數

主要特點

非常低的噪聲，在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內平均為 4K。

由單個正直流電源供電。

以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

2 針 Winchester DC 連接器。

可選的直流偏置三通。

可選輸入保護二極管。

尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。


性能特點@12K

射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

獲得

35dB±3dB

噪音溫度<4K

噪聲系數<0.06dB

最佳直流電源

Vd=2.0V

ID=13.6mA



CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器


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