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邊緣切割倒角物鏡(1030-1080nm EFL10mm)（光束整形） 我們的邊緣切割倒角物鏡可將入射的單模激光聚焦成緊密光斑圖案，光斑束腰尺寸約為 2.3 um，覆蓋范圍超過 500um。 此模塊配備了定制的多焦點衍射光學元件（DOE），能夠?qū)崿F(xiàn)與光軸存在 x 向偏差的對角線、曲線乃至梯形切割輪廓。借助本產(chǎn)品，可輕松實現(xiàn)典型的 45 度、0.2 - 0.3 毫米的光學倒角。

IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片） 光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。

IR拋光CZ級(Si)硅窗片 AR/AR增透膜 1.2-15um (30.0X2.0mm 窗口片) 光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。

IR拋光CZ級(Si)硅窗片 矩形 N-type 摻雜 1.2-15um (50mm x 50mm x 10mm 用于中子反射窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 產(chǎn)品總覽 光學級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸

IR級拋光氟化鍶窗片 0.15-11um (10.0X1.0mm圓形SrF2窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 氟化鍶（SrF2）通過真空Stockbarger生長技術生產(chǎn)，只有專業(yè)方面的應用。 光學上，SrF2具有介于鈣和BaF2之間的性質(zhì)。 通常，窗口片符合紅外使用條件，但可以在大部分紫外線光譜范圍內(nèi)提供良好的性能。為了保證穿過 UV（和 VUV）的傳輸，型號以U結(jié)尾